美國加州大學芭芭拉分校（UCSB）近日發表了一篇文章，文章主要對比了蘇州納維科技有限公司、日本古河電工、三菱化學公司以及日立電纜的自支撐氮化鎵（0001）襯底晶片（生長方法均為氫化物氣相外延）的翹曲，并證明它們的翹曲同襯底內部的壓應力向張應力轉變的梯度具有一致性，應力梯度和翹曲的產生則是由于刃位錯偏離了[0001]方向。

比對結果顯示，蘇州納維的自支撐氮化鎵（0001）襯底晶片曲率半徑最大，8.08米，位錯密度最小，4.16=54⁹ cm^/6綜合表現最優！

文章同時指出，GaN中的線缺陷會影響半導體異質結構中的載流子運動，降低其發光性能。因此，GaN基同質外延生長的器件更加需要缺陷密度低的GaN材料。市面上的自支撐氮化鎵（0001）襯底晶片位錯密度大都在10⁴cm^-2到 10⁶cm^-2之間。并且有些晶片伴有嚴重的翹曲。他們研究發現，位錯密度越大，曲率半徑越小，翹曲越嚴重，晶體質量越差，并且翹曲同襯底內部的壓應力向張應力轉變的梯度有一致性。如何通過有效的方法解決氮化鎵翹曲以及位錯密度，也將是未來量產的關鍵技術問題。