近日，北京能源所的趙博士團隊采用氫化物氣相外延（HVPE）在蘇州納維科技有限公司提供的300極性面（c面）和非極性面（m面）GaN單晶襯底上制備了GaN壓電晶體管,以研究壓電效應在極性或非極性氮化鎵納米線中的應用。蘇州納維提供的自支撐氮化鎵襯底晶片，位錯密度低，晶體質量較好，非常適合制作新型光電子器件。

實驗首先采用了蘇州納維科技有限公司提供的高質量300極性面（C面）和非極性面（m面）GaN單晶作為襯底，利用等離子體增強化學氣相沉積法在GaN單晶襯底上沉積SiO₂薄膜，然后利用電子束蒸發法的SiO₂表面上沉積一層薄的Ni金屬膜。隨后，將Ni/SiO₂包覆的GaN基板退火，退火完成后會在基板表面形成鎳納米球。再通過反應性離子刻蝕SiO₂，用稀鹽酸除去Ni。最后，利用得到SiO₂掩模用氫化物氣相外延法生長GaN納米線。

接下來的實驗中，他們利用AFM探針接觸GaN納米線的表面，在 GaN襯底下部涂上銀膏，形成源漏電極。理論分析和實驗結果表明，利用探針施加壓力可以有效地調節探針和極性面（c-面）GaN納米線之間的肖特基勢壘，沿壓電極化方向（c軸）施加應力可以在極化軸兩端產生極化電荷，調節載流子的運動，這種效應被稱為壓電效應。然而，同樣的壓力卻無法改變壓電極化軸在水平方向的非極性面（m面）GaN的電子輸運特性，這表現的是壓阻效應。。

壓電效應可以改變肖特基勢壘，壓阻效應則是對橫向力有很高的靈敏度。極性和非極性GaN納米線呈現出的這兩種特性如果同時應用在一個壓電集成電路中，則可以有效地最任何外加應力做出響應，完全有望應用在生命科學，壓力傳感器和人機交互等新興技術領域。